%0 Journal Article
%T High Power 808nm AlGaAs/GaAs Quantum Well Laser Diodes with Broad Waveguide<br>大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管(英文)
%A Fang Gaozhan
%A Xiao Jianwei
%A Ma Xiaoyu
%A Feng Xiaoming
%A Wang Xiaowei
%A Liu Yuanyuan
%A Liu Bin
%A Tan Manqing
%A Lan Yongsheng
%A <br>方高瞻
%A 肖建伟
%A 马骁宇
%A 冯小明
%A 王晓薇
%A 刘媛媛
%A 刘斌
%A 谭满清
%A 蓝永生
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 设计与制作了大功率 80 8nm Al Ga As/ Ga As宽波导激光二极管 .器件的 Al0 .3 5Ga0 .65As波导厚度提高到0 .9μm,宽波导会引起高阶模的激射 .为了抑制高阶模 ,Al0 .55Ga0 .45As限制层厚度降低到 0 .7μm ,同时确保基横模的辐射损耗在 0 .2 cm- 1 以下 .采用 MOCVD进行材料生长 ,得到了高性能的器件 ,10 0 μm条形激光二极管的最大输出达 10 .2 W.
%K quantum well
%K laser diode
%K waveguide<br>量子阱
%K 激光二极管
%K 波导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EFD76F62B97C747C&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=AF407E3178C0B145&eid=525CF7714FCB18E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0