%0 Journal Article
%T Properties of InGaN Layers Grown on Sapphire Substrates by MOCVD<br>MOCVD生长的InGaN合金的性质
%A YAN Hua
%A <br>闫华
%A 卢励吾
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样
%K MOCVD
%K InGaN
%K PL
%K SEM<br>MOCVD
%K InGaN
%K 光致发光(PL)
%K 扫描电镜(SEM)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=22F6C5225BA35075&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=43608FD2E15CD61B&eid=C5F8B8CB20F1B3D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=13