%0 Journal Article
%T An 8~20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch<br>8~20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关
%A Wu Rufei
%A Yin Junjian
%A Liu Huidong
%A Zhang Haiying
%A <br>吴茹菲
%A 尹军舰
%A 刘会东
%A 张海英
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺，设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关. 在8~20GHz频段内，开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB，输入和输出端的回波损耗大于10dB；开关关断状态的隔离度最大值为32dB. 开关的支路采用串联-并联-并联的结构，其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm. 在1.3V的偏置电压下，正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
%K X/Ku-band
%K SPDT
%K switches
%K GaAs
%K pin diodes<br>X/Ku波段
%K 单刀双掷
%K 开关
%K GaAs
%K pin二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A2990579845C426656FFD7858B40556D&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F393F687E70F258D&eid=C53252FC3FF27EAA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10