%0 Journal Article
%T A Novel SOI High Voltage Device Structure with a Partial Locating Charge Trench<br>部分局域电荷槽SOI高压器件新结构
%A Luo Xiaorong
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A Tang Xinwei
%A <br>罗小蓉
%A 张波
%A 李肇基
%A 唐新伟
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3Esi,C升高到接近SiO2的临界击穿电场Esio2,c;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K.
%K charge trench
%K interface charge
%K self-heating effect
%K vertical electric field
%K breakdown voltage<br>电荷槽
%K 界面电荷
%K 自热效应
%K 纵向电场
%K 击穿电压
%K 局域电荷槽
%K 高压器件
%K 结构
%K Trench
%K Charge
%K Locating
%K Partial
%K Structure
%K High
%K Voltage
%K Device
%K 最高温度
%K 耐压
%K 漂移区
%K 结果
%K 热特性
%K 击穿特性
%K 仿真研究
%K 自热效应
%K 存在
%K 击穿电压
%K 耗尽层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4E8D06F96D541640&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=EDA22B444205D04A&eid=2B5DE8A23DCEED39&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=11