%0 Journal Article
%T Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement<br>用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
%A XIONG Wei-hua
%A XIONG Zu-hong
%A LU Fang
%A <br>熊卫华
%A 熊祖洪
%A 陆昉
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .
%K photocurrent
%K porous silicon microcavities
%K PL spectrum<br>光电流
%K 多孔硅微腔
%K PL谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DDBF8EA839F280F5&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=FB318F788ECEF1B2&eid=005F3549A8D9454D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12