%0 Journal Article
%T Interband Optical Transitions in Semiconducting Iron Disilicide β-FeSi2<br>铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究
%A Yan Wanjun
%A Xie Quan
%A Zhang Jinmin
%A Xiao Qingquan
%A Liang Yan
%A Zeng Wuxian
%A <br>闫万珺
%A 谢泉
%A 张晋敏
%A 肖清泉
%A 梁艳
%A 曾武贤
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105 cm-1.
%K β-FeSi2
%K 电子结构
%K 光学特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=15B2EA12A4B614BC&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=196B965FCC00ED31&eid=718DA5F072AFDAC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19