%0 Journal Article
%T Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI<br>具有互补电荷岛结构的PSOI高压器件
%A Wu Lijuan
%A Hu Shengdong
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>吴丽娟
%A 胡盛东
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文提出一种新的具有互补n+-电荷岛结构的PSOI高压器件（CNCI PSOI）。该结构在PSOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度n+区。器件外加高压时，在上下介质层的n+-区域之间形成互补的空穴和电子岛,因此能有效的增强界面电场(EI) 和提高耐压(BV)，通过源下的硅窗口还能减小器件的自热效应。本文分析了CNCI PSOI 的垂直界面电场的模型，分析结果和二维仿真结果吻合。CNCI PSOI LDMOS 在较低的自热效应的情况下，BV 和EI从常规PSOI的 216V 和81.4V/μm 提高到591V 和512 V/μm。文中详细研究了结构参数对所提出的器件性能的影响。
%K PSOI
%K complementary
%K charge islands
%K breakdown voltage
%K SHE<br>部分SOI
%K 互补
%K 电荷岛
%K 击穿电压
%K 自热效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=45F0DF557F86E66803A6EDE67DD9BF74&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C6A8A868801B1E20&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0