%0 Journal Article
%T Absorption of photons in the thin film AlGaInP light emitting diode<br>薄膜AlGaInP发光二极管中光子吸收的研究
%A Gao Wei
%A Guo Weiling
%A Zou Deshu
%A Jiang Wenjing
%A Liu Zike
%A Shen Guangdi
%A <br>高伟
%A 郭伟玲
%A 邹德恕
%A 蒋文静
%A 刘自可
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 分析了薄膜发光二极管中光子的路径，对比了AlGaInP薄膜发光二极管的反光镜有无AlGaInP层的反射率，分析了AlGaInP层的吸收并计算了光提取效率。制作了不同GaP厚度的TF AlGaInP LED。在20mA的驱动电流下，0.6μm GaP的LED比8μm GaP 的LED光输出功率高33％。提出了在0.6μm GaP的LED中腐蚀去除非欧姆接触点处的重掺GaP。在n型电极和p型欧姆接触点间的电流扩展的设计和优化需要更进一步的研究。
%K LED
%K AlGaInP
%K thin film<br>发光二极管，AlGaInP，薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CF7B04F255D64EA3A8A393B80A0CBC12&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2955ECA1BDABFC59&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0