%0 Journal Article
%T Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure<br>AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触
%A Yang Yan
%A Wang Wenbo
%A Hao Yue
%A <br>杨燕
%A 王文博
%A 郝跃
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.
%K AlGaN/GaN
%K HEMTs
%K Ti/Al/Ni/Au
%K ohmic contact<br>AlGaN/GaN
%K Ti/Al/Ni/Au
%K 欧姆接触
%K 高电子迁移率晶体管
%K AlGaN
%K 异质结构
%K 欧姆接触
%K Contact
%K 晶体管制造
%K 高电子迁移率
%K 高性能
%K 表面形貌
%K 退火条件
%K 分析表
%K 比接触电阻率
%K 高纯
%K 金属厚度
%K 结果
%K 体系
%K 研究
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FA580D2CA2D21F67&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=AE1A5CF00DFD739A&eid=06AAA405D95B59CF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7