%0 Journal Article
%T A Method for Locating the Position of an Oxide Trap in a MOSFET by RTS Noise<br>利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法
%A Bao Li
%A Bao Junlin
%A Zhuang Yiqi
%A <br>鲍立
%A 包军林
%A 庄奕琪
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.
%K RTS
%K deep submicron
%K border traps
%K MOS device
%K reliability<br>RTS
%K 深亚微米
%K 边界陷阱
%K MOS器件
%K 可靠性
%K 利用
%K 噪声
%K MOSFET
%K 氧化层陷阱
%K 位置
%K 方法
%K RTS
%K Noise
%K Oxide
%K Trap
%K Position
%K Locating
%K 可靠性评估
%K 深亚微米器件
%K 准确计算
%K 测量结果
%K nMOS
%K 空间分布
%K 手段
%K 非饱和区
%K 时间特性
%K 随机电报信号
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C7B69F2BF0A4F032&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=5D311CA918CA9A03&sid=30D259683AC50F0D&eid=95A5B7E5A2BF95B5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=23