%0 Journal Article
%T Design and Simulation of Si-Based Resonant-Cavity-Enhanced Waveguide Photodetectors<br>硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟
%A Chen Liqun
%A Li Cheng
%A <br>陈荔群
%A 李成
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸收区的长度不受SiGe临界厚度的限制,实现了量子效率和响应速度的优化.本文在数值模拟的基础上,对器件结构进行了优化设计,结果表明7.6μm长的波导探测器可以得到20%以上的量子效率.
%K Si/SiGe
%K resonant-cavity-enhanced waveguide
%K photodetector<br>Si/SiGe
%K 波导共振增强型
%K 探测器
%K 硅基
%K 波导
%K 共振
%K 增强型
%K 光电探测器
%K 设计与模拟
%K Photodetectors
%K Waveguide
%K Simulation
%K 结果
%K 优化设计
%K 器件结构
%K 数值模拟
%K 响应速度
%K 临界厚度
%K 长度
%K 导型
%K 器件尺寸
%K 构成
%K 吸收系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2A3AF83BC7CD7F91&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8D1ED028DF2147F4&eid=01AFAE7A0B7C782E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=10