%0 Journal Article
%T Optical Characterization of Ge Quantum Dots Grown on Porous Silicon by UHV/CVD<br>多孔硅上生长Ge量子点的光学特性
%A WANG Ya-dong
%A HUANG Jing-yun
%A YE Zhi-zhen
%A ZHAO Bing-hui
%A <br>王亚东
%A 黄靖云
%A 叶志镇
%A 赵炳辉
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用量子尺寸的多孔硅作为衬底 ,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了 Ge量子点 .由于量子限制效应锗的 PL 谱发生了明显的蓝移 ,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁 (两个重空穴能级之间的跃迁 ) ,这为 Ge量子点红外光探测器的应用提供了理论基础
%K quantum dots
%K intersubband absorption
%K infrared photodetectors<br>量子点
%K 亚能带吸收
%K 红外光探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2FB5656533A6ECEB&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=76C32027E03E49D7&eid=C92F92E9A15D3512&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7