%0 Journal Article
%T A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier<br>一个Ku波段高功率密度AlGaN/GaN HEMTs单片集成功率放大器
%A Ge Qin
%A Chen Xiaojuan
%A Luo Weijun
%A Yuan Tingting
%A Pang Lei
%A Liu Xinyu
%A <br>戈勤
%A 陈晓娟
%A 罗卫军
%A 袁婷婷
%A 庞磊
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文报道了一款工作于Ku波段的高功率密度单片集成功率放大器。该放大器采用金属有机化学气相淀积技术在2英寸半绝缘 4H-SiC衬底上生长0.2um AlGaN/GaN HEMTs工艺制作而成。在10%占空比的脉冲偏置Vds=25V,Vgs=-4V条件下,该单片放大器在12-14GHz频率范围内得到最大输出功率38dBm(6.3W),最高PAE 24.2%和线性增益6.4到7.5dB。以这种功率水平而论,该放大器的功率密度超过5W/mm。
%K Ku-band
%K AlGaN/GaN HEMTs
%K power amplifier
%K monolithic
%K power density<br>单片功率放大器
%K AlGaN
%K 高功率密度
%K Ku波段
%K HEMT
%K MOCVD
%K 单片电源
%K 生产过程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=088A58300DC7C7D30FE6A7845AE59468&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FCCCBCCAB69B45B6&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11