%0 Journal Article
%T Growth and Electrical Properties of Mercury Indium Telluride Crystals<br>碲铟汞晶体的生长及其电学特性
%A Wang Linghang
%A Dong Yangchun
%A Jie Wanqi
%A <br>王领航
%A 董阳春
%A 介万奇
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω·cm,载流子浓度为2.83×1013 cm-3,载流子迁移率为4.6×102 cm2/(V·s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
%K Hg3-3xIn2xTe3(MIT)
%K crystal growth
%K vertical Bridgman method
%K photovoltaic semiconductors
%K NIR detector<br>Hg3-3xIn2xTe3
%K 晶体生长
%K 垂直布里奇曼法
%K 光电半导体材料
%K 近红外探测器
%K 晶体
%K 生长
%K 电学特性
%K Crystals
%K Indium
%K Mercury
%K Electrical
%K Properties
%K 量值
%K 实验测
%K 计算值
%K 禁带
%K 级位
%K 费米能
%K 载流子迁移率
%K 载流子浓度
%K 电阻率
%K 导电类型
%K FWHM
%K 分散度
%K 取向
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F754BD271109C4E2&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=81A5772701933E75&eid=5DD55A2029F498FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8