%0 Journal Article
%T Preparation of AlSb Polycrystalline Thin Films by Co-Evaporation<br>用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜
%A Yao Feifei
%A Lei Zhi
%A Feng Lianghuan
%A Zhang Jingquan
%A Li Wei
%A Wu Lili
%A Cai Wei
%A Cai Yaping
%A Zheng Jiagui
%A and Li Bing
%A <br>姚菲菲
%A 雷智
%A 冯良桓
%A 张静全
%A 李卫
%A 武莉莉
%A 蔡伟
%A 蔡亚平
%A 郑家贵
%A 黎兵
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.
%K AlSb
%K anneal
%K polycrystalline thin films<br>AlSb
%K 退火
%K 多晶薄膜
%K 共蒸发法
%K 法制
%K 多晶薄膜
%K Thin
%K Films
%K Polycrystalline
%K 材料
%K 太阳电池
%K 结果
%K 电导激活能
%K 光能隙
%K 间接跃迁
%K 立方相
%K 退火处理
%K 发现
%K 光学和电学性质
%K 结构
%K 研究
%K 方法
%K 温度关系
%K 暗电导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED610AA70ED59F9D&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6DC9B9BB39B3E540&eid=1593278DEEDA4D8F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7