%0 Journal Article
%T 2.5-Gb/s 0.18-μm CMOS全集成，低功耗时钟数据恢复电路
%A 张长春
%A 王志功
%A 施思
%A 郭宇峰
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 采用SMIC 0.18-μm CMOS 工艺设计并实现了一款基于锁相原理的单片Bang-Bang时钟恢复电路。从系统级及电路级详细论述了本电路的设计方法。本电路的有效面积为340×440 μm2。在1.8V电压下的功耗仅仅为60mW，输入灵敏度不到25mV，输出单端摆幅超过300mV。它具有800MHz的牵引带宽，相位噪声为 -111.54 dBc/Hz @10 kHz。本电路可以可靠地工作在1.8 Gb/s 到2.6 Gb/s之间的任意数据输入速率，而不需要任何参考时钟，外部调谐或外接元件。
%K 时钟恢复
%K 相频检测器
%K 压控振荡器
%K 砰砰
%K 抖动
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1DB2F0425918BE353FD2F288139FC513&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=38B194292C032A66&sid=28B7AF181876C497&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0