%0 Journal Article
%T Wet etching characteristics of a HfSiON high-k dielectric in HF-based solutions<br>HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性研究
%A Li Yongliang
%A Xu Qiuxia
%A <br>李永亮
%A 徐秋霞
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文研究了HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性。HF基溶液是最有希望实现HfSiON材料去除的湿法腐蚀溶液，而且通过在HF溶液中加入酸和/或无水乙醇可以提高HF基溶液的选择比。由于退火过程中引起的增密作用，与淀积后的HfSiON相比，经过900°C，30秒退火的HfSiON薄膜在HF基腐蚀溶液中的腐蚀速率显著降低。由于N扩散进入界面层或Si衬底形成在HF基溶液中很难溶解的Si-N键，采用HF基溶液完全去除HfSiON薄膜以后，存在一个不能被腐蚀干净的界面层且被腐蚀的表面未显示疏水特性。在新淀积的高K材料和Si衬底之间存在含有Si-N键的界面层可能因库伦散射而降低载流子迁移率。另外，对于很薄的HfSiON薄膜，在湿法腐蚀前采用N2等离子体处理对提高其湿法腐蚀速率并不是十分有效。
%K HfSiON
%K high-k
%K wet etching
%K interfacial layer<br>HfSiON
%K 高K
%K 湿法腐蚀
%K 界面层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B2971B074D7F2C5B365ABE478B2CDD71&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=38B194292C032A66&sid=DA429FCF8127D04E&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0