%0 Journal Article
%T 应用于IMT-A和UWB系统的0.13μm CMOS宽带压控振荡器设计
%A Tang Xin
%A Huang Fengyi
%A Tang Xusheng
%A Shao Mingchi
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计并实现了应用于IMT-Advanced和UWB系统的双频段宽带频率合成器中的电感电容压控振荡器(LC-VCO)。此压控振荡器的设计采用了开关电流源、开关交叉耦合对和噪声滤波等技术,以优化电路的相位噪声,功耗,振荡幅度,调谐范围等性能。为达到宽的调谐范围,核心电路采用了4比特可重构的开关电容调谐阵列。整个芯片包括焊盘面积为1.11′0.98 mm2。测试结果表明,在1.2V电源电压下,两个频段压控振荡器所消耗的电流分别为3mA和4.5mA,压控振荡器的调谐范围为3.86~5.28GHz和3.14~3.88GHz。在振荡频率3.5GHz和4.2GHz上,1MHz频偏处,压控振荡器的相位噪声分别为-123dBc/Hz与-119dBc/Hz。
%K 压控振荡器(VCO)
%K CMOS
%K IMT-Advanced
%K UWB
%K 相位噪声
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D6BB6A422263A4552EDD1812AD76A3B&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=053CF5B83DF02871&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19