%0 Journal Article
%T Deposition of Al-N Co-Doped p-Type Zn0.95Mg0.05O Thin Films<br>Al-N共掺p型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能
%A Jian Zhongxiang
%A Ye Zhizhen
%A Gao Guohu
%A Lu Yangfan
%A Zhao Binghui
%A Zeng Yujia
%A Zhu Liping
%A <br>简中祥
%A 叶志镇
%A 高国华
%A 卢洋藩
%A 赵炳辉
%A 曾昱嘉
%A 朱丽萍
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω·cm,载流子浓度为1.95×1017 cm-3,迁移率为0.546cm2/(V·s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.
%K ZnMgO
%K p-type doping
%K thin films<br>ZnMgO
%K p型掺杂
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8D5833CB606EB72C&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=38B194292C032A66&sid=F10601728A1E9BEA&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17