%0 Journal Article
%T XPS of SiCN Thin Films Prepared by C+ Implantation in Amorphous SiNx:H<br>C+注入a-SiNx∶H的原子化学键合的研究
%A Chen Chao
%A Liu Yuzhen
%A Dong Lijun
%A Chen Dapeng
%A Wang Xiaobo
%A <br>陈超
%A 刘渝珍
%A 董立军
%A 陈大鹏
%A 王小波
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入，能量为30keV，剂量为2e17cm-2. 对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下，进行2h的常规炉退火处理. 通过XPS,AES的测量得到，经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构. 用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析，得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.
%K X-ray photoelectron spectroscopy
%K C+ implantation
%K thermal annealing
%K SiCN<br>C+注入
%K SiCN
%K XPS
%K 高温退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B663B8CE150049A0&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=38B194292C032A66&sid=BFB86B6ED3A99B9D&eid=A4E67967A1AB25F0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14