%0 Journal Article
%T Effect of Pretreatment on Thermal Donors in Neutron-Irradiated Czochralski Silicon<br>热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响
%A Deng Xiaoran
%A Yang Shuai
%A <br>邓晓冉
%A 杨帅
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650 ℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响.
%K neutron irradiation
%K thermal donor
%K Czochralski silicon
%K irradiated defect<br>中子辐照
%K 热施主
%K 直拉硅
%K 辐照缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8F609E94C4D9BBC9&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1E41DF9426604740&eid=38685BC770C663F2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12