%0 Journal Article
%T Design of an Integrated 20W X×Class-D Audio Power Amplifier in 0.8μm BCD Technology<br>基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计
%A Liu Lianxi
%A Zhu Zhangming
%A Yang Yintang
%A Guo Wei
%A Shi Bin
%A <br>刘帘曦
%A 朱樟明
%A 杨银堂
%A 过伟
%A 史斌
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.
%K class-D power amplifier
%K full-bridge
%K over-current protection
%K rail-to-rail comparator<br>D类功率放大器
%K 全桥
%K 过流保护
%K 轨-轨比较器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=57F1E9F1D9BCF85B456D9FE647A335DB&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=BB44F42BE8AE7430&eid=E1034A3BCFB43055&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7