%0 Journal Article
%T 双π片上螺旋电感全缩放模型
%A 刘军
%A 钟琳
%A 王皇
%A 文进才
%A 孙玲玲
%A 余志平
%A Marissa Condon
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出了一种新型的片上螺旋电感的双π等效电路模型。引入一个类似MOS模型的层次结构，将全局模型（global model）的几何缩放公式和单管模型（local model）的计算方程严格区分开来。主要的寄生效应，包括趋肤效应，邻近效应，衬底上的感性和容性损耗，以及分布效应，都可在单管模型中由几何和工艺参数计算。由于很难得到准确的版图参数和工艺参数，因此为了修正不精确的版图参数和工艺参数引起的误差，我们在单管模型中加入了一组模型参数。参数缩放公式可以描述各种几何尺寸的电感特性。模型的准确性通过一批具有不同尺寸，基于0.18-μm SiGe BiCMOS工艺的单端电感进行了验证，结果表明在较宽频段内，测试和仿真结果拟合良好。
%K 螺旋电感
%K 双π等效电路
%K 全缩放
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A6275A725A751A6E412B5BA417E4A766&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=5D311CA918CA9A03&sid=3B01130B108103A1&eid=708DD6B15D2464E8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=26