%0 Journal Article
%T Rapid thermal annealing effects on vacuum evaporated ITO for InGaN/GaN blue LEDs<br>快速热退火对真空蒸镀ITO InGaN/GaN蓝光LED的影响
%A Ding Yan
%A Guo Weiling
%A Zhu Yanxu
%A Liu Jianpeng
%A Yan Weiwei
%A <br>丁艳
%A 郭伟玲
%A 朱彦旭
%A 刘建朋
%A 闫薇薇
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 制作了8milX 10mil的InGaN/GaN 蓝光LED(λ=460nm),采用了真空蒸镀在P-GaN上淀积了240nm的ITO。对不同温度下(100℃至550℃)热退火ITO的电学特性和光学特性进行了比较分析。实验发现,450℃下热退火ITO电阻率低至1.19X10-4Ω?cm,而此温度下得到高透射率94.17%。在20mA注入电流下,正向电压和输出功率分别为3.14V and 12.57mW。另外,550℃ITO退火下制备的LED光通量最大,为0.49lm,这是因为此温度下透射率较大。
%K rapid thermal annealing
%K light emitting diodes
%K ITO
%K InGaN/GaN<br>蓝色发光二极管
%K ITO薄膜
%K InGaN
%K 热退火效应
%K 真空蒸发
%K 高透明度
%K 铟锡氧化物
%K 蓝光LED
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=649CF1A01F52D57172DDEBFC0BA2A084&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B11660F501BD2731&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20