%0 Journal Article
%T Characteristics of GaMnN Film Grown by ECR-PEMOCVD<br>ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性
%A He Huan
%A Qin Fuwen
%A Wu Aimin
%A Wang Ye''an
%A Dai Youyong
%A Jiang Xin
%A Xu Yin
%A Gu Biao
%A <br>何欢
%A 秦福文
%A 吴爱民
%A 王叶安
%A 代由勇
%A 姜辛
%A 徐茵
%A 顾彪
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.
%K ECR-PEMOCVD
%K DMS
%K GaMnN
%K ferromagnetism at room temperature
%K Curie temperature<br>ECR-PEMOCVD
%K 稀磁半导体
%K GaMnN
%K 室温铁磁性
%K 居里温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9C00A93421195980&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8CE636FB0B122692&eid=C6E83222BCBFFFF8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13