%0 Journal Article
%T Design of a 0.5 V CMOS cascode low noise amplifier for multi-gigahertz applications<br>适合于多吉赫兹应用的0.5 V CMOS cascode低噪声放大器设计
%A Liu Baohong
%A Zhou Jianjun
%A Mao Junfa
%A <br>刘宝宏
%A 周健军
%A 毛军发
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文介绍了适用于低功耗无线通信的0.5 V 多吉赫兹CMOS cascode 低噪声放大器设计。通过对传统cascode结构进行直流分离,去除了因堆积MOS管导致的工作电压限制。同时,采用正向体偏置技术,cascode结构低噪声放大器能工作在0.5 V供电电压。文章研究了电路设计细节和射频性能。为验证研究结果,采用台积电0.18微米射频工艺的0.5 V 5.4吉赫兹低噪声放大器被设计,制造出来并进行了测量。测量结果表明,该低噪声放大器在0.5 V工作电压下工作电流为5毫安,其增益为9.1分贝,噪声系数为3分贝,输入三阶交调点为-3.5 分贝毫瓦。通过和那些已发表的cascode低噪声放大器比较,本文的低噪声放大器具有工作电压低,功耗低而射频性能相当的特点。
%K CMOS
%K 0
%K 5 V
%K cascode low noise amplifier
%K direct current split
%K forward-body-bias technology
%K multi-gigahertz applications<br>CMOS技术
%K 低噪声放大器
%K 千兆赫
%K 级联
%K 应用程序
%K 设计
%K 电源电压
%K MOS结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF837C3964F7310F734598C66ADBB88A&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1F3ADE0F2917CCCC&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16