%0 Journal Article
%T Hydrogen Sensors Based on AlGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes<br>AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
%A Wang Xinhu
%A Wang Xiaoliang
%A Feng Chun
%A Ran Junxue
%A Xiao Hongling
%A Yang Cuibai
%A Wang Baozhu
%A Wang Junxi
%A <br>王新华
%A 王晓亮
%A 冯春
%A 冉军学
%A 肖红领
%A 杨翠柏
%A 王保柱
%A 王军喜
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
%K GaN
%K gas sensor
%K Schottky diode<br>GaN
%K 气体传感器
%K 肖特基二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=83B5064C1BA58A89F48854F8EBF481B7&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=D59111839E7C8BDF&eid=3F0AF5EDBC960DB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15