%0 Journal Article
%T Preparation of rare-earth element doped Mg2Si by FAPAS<br>FAPAS法制备稀土掺杂的Mg2Si
%A Wang Liqi
%A Meng Qingsen
%A Fan Wenhao
%A <br>王丽七
%A 孟庆森
%A 樊文浩
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 采用电场激活压力辅助合成（FAPAS）的方法，制备了稀土Sc、Y掺杂的Mg2Si热电材料，合成温度为1023-1073K，压力为50Mpa，所用时间约15min。所得试样结构均匀致密，平均晶粒尺寸约为1.5~2μm，微量的稀土元素不改变基体的组织形貌。掺杂2500ppmSc的式样有最大的绝对Seebeck系数，在408K达未掺杂式样的1.93倍，掺杂200ppmY的式样具有更好的电导率，在468K为未掺杂式样的1.69倍，而Sc掺杂式样具有更好的综合电性能。这两种掺杂试样的热导率分别为未掺杂试样的70%和84%。因此，这两个试样的热电优值-ZT得到了明显提高，分别在408K和468K时达到未掺杂试样的3.3倍和2.4倍。掺杂2500ppmSc的试样具有最大的ZT值为0.42，大于Y掺杂式样的0.4及未掺杂式样的0.25。Sc掺杂的式样在更低的温度区间有最佳的热电性能。
%K Mg2Si
%K rare-earth element
%K thermoelectric material
%K FAPAS<br>Mg2Si
%K 稀土元素
%K 热电材料
%K FAPAS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=721AF616C5F2DD3E7C2E177D336EE960&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=B7E353DF1D0F2E2A&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=27