%0 Journal Article
%T A novel antifuse structure based on amorphous bismuth zinc niobate thin films<br>基于非晶态铌酸锌铋薄膜的新型反熔丝器件
%A Wang Gang
%A Li Wei
%A Li Ping
%A Li Zuxiong
%A Fan Xue
%A Jiang Jing
%A <br>王刚
%A 李威
%A 李平
%A 李祖雄
%A 范雪
%A 姜晶
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出了一种基于非晶态铌酸锌铋（a-BZN）介质材料的新型反熔丝器件并对其性能特征进行了研究。考察了a-BZN反熔丝器件的关态特性，选用从上至下的编程方向对反熔丝器件进行击穿，其击穿电压约为6.56V。获得了a-BZN反熔丝器件的关态电阻，约为1GΩ。表征分析了击穿后的a-BZN反熔丝器件的表面形貌。研究了a-BZN反熔丝器件的编程特性以及编程后的开态特性，结果表明a-BZN反熔丝器件所需编程时间约为0.46ms，编程后其开态电阻约为26.1Ω。对比分析了a-BZN反熔丝器件与结晶态铌酸锌铋（cp-BZN）反熔丝器件和栅氧反熔丝器件在性能特征等方面的差异。
%K amorphous bismuth zinc niobate
%K thin film
%K antifuse
%K comparison<br>反熔丝
%K 铌酸
%K 非晶
%K 结构
%K 薄膜
%K 锌
%K 铋
%K 编程时间
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A6275A725A751A6E6559DC974ED23BDA&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=5D311CA918CA9A03&sid=A5A2203BC075349C&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16