%0 Journal Article
%T A High Precision CMOS Opamp Suitable for ISFET Readout<br>一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计
%A Zhang Chong
%A Yang Haigang
%A Wei Jinbao
%A <br>张翀
%A 杨海钢
%A 魏金宝
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f,噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35/μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11/μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.
%K high precision
%K auto-zero
%K operational amplifier
%K ISFET microsensor<br>高精度
%K 自调零
%K 运算放大器
%K ISFET微传感器
%K high
%K precision
%K auto-zero
%K operational
%K amplifier
%K ISFET
%K microsensor
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=567E72EDF899CA8F845DAC94199FFF7D&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=E158A972A605785F&sid=710C005323C0774A&eid=15F713CDE16A589C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16