%0 Journal Article
%T Characteristics of a Front-Illuminated Visible-Blind UV PhotodetectorBased on GaN p-i-n Photodiodes with High Quantum Efficiency<br>高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器
%A You D
%A Tang Yingwen
%A Zhao Degang
%A Xu Jintong
%A Xu Yunhua
%A Gong Haimei
%A <br>游达
%A 汤英文
%A 赵德刚
%A 许金通
%A 徐运华
%A 龚海梅
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.
%K p-i-n
%K AlGaN
%K quantum efficiency
%K response spectrum<br>p-i-n
%K AlGaN
%K 量子效率
%K 响应光谱
%K 高量子效率
%K 结构
%K 紫外探测器
%K High
%K Quantum
%K Efficiency
%K Based
%K UV
%K Photodetector
%K 信噪比
%K 暗电流密度
%K 偏压
%K 理论极限
%K 外量子效率
%K 表面反射
%K 峰值
%K 晶体质量
%K 效率影响
%K 光吸收
%K 测试结果
%K 器件
%K 层厚度
%K 探测器性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4EC23F1BFE20A06E&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=94C357A881DFC066&sid=B65E5C7BA0DC04DC&eid=7E7F5B01D43BD73F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=17