%0 Journal Article
%T Preparation and Characterization of a SiGe Buffer Layer by Dry Oxidation<br>干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
%A Cai Kunhuang
%A Zhang Yong
%A Li Cheng
%A Lai Hongkai
%A Chen Songyan
%A <br>蔡坤煌
%A 张永
%A 李成
%A 赖虹凯
%A 陈松岩
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
%K oxidation
%K SiGe buffer layer
%K dislocation<br>氧化
%K 锗硅弛豫缓冲层
%K 位错
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5C68C8D414D8E2B4F373F009714841F1&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=4ED782DFCB910AF4&eid=CD469DA1E6CDFCA7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12