%0 Journal Article
%T Effect of Doped Impurities on Hardness of Silicon Single Crystal<br>杂质对单晶硅材料硬度的作用
%A Li Dongsheng
%A Yang Deren
%A Que Duanlin
%A <br>李东升
%A 杨德仁
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1 1 1 }面上的硬度要大于 { 1 0 0 }面 .重掺 n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降 ;相反 ,重掺 p型和掺氮单晶的硬度则由于掺入原子对位错的钉扎作用加强而有所提高
%K hardness
%K impurities
%K silicon single crystal<br>硬度
%K 杂质
%K 硅单晶
%K 晶向
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1C87D673D907FC2D&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B3645A659773B73C&eid=EAF6504CC0383BDF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=21