%0 Journal Article
%T 高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
%A 杨斌
%A 王占国
%A 陈涌海
%A 梁基本
%A 廖奇为
%A 林兰英
%A 朱战萍
%A 徐波
%A 李伟
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=751D9EE7044F2DCA&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C19D5524C51D7FE4&eid=2868AE484E7BAD6B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0