%0 Journal Article
%T Characteristic Simulation and Test Analyses of Darlington Photo-Lambda Bipolar Transistor<br>新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
%A Zhu Shengli
%A Yao Suying
%A Zheng Yunguang
%A Li Shurong
%A Zhang Shilin
%A Guo Weilian
%A <br>朱胜利
%A 姚素英
%A 郑云光
%A 李树荣
%A 张世林
%A 郭维廉
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景
%K photo
%K electronic negative resistance device
%K DPLBT
%K simulation<br>光电负阻器件
%K 光电双极晶体管
%K 模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D22602F39374A79F&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=94C357A881DFC066&sid=03EE8EDD44A3D4BE&eid=C2053D4E59904B8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3