%0 Journal Article
%T Isothermal and Isochronal Annealing Characteristics in Irradiated MOS Devices<br>CMOS器件的等时、等温退火效应
%A He Baoping
%A Gong Jiancheng
%A Wang Guizhen
%A Luo Yinhong
%A Jiang Jinghe
%A <br>何宝平
%A 龚建成
%A 王桂珍
%A 罗尹虹
%A 姜景和
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了n MOSFET和p MOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:10 0℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过2 5℃与10 0℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0 V和浮空偏置条件,在+5 V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.
%K isothermal annealing
%K isochronal annealing
%K dose rate<br>等温退火
%K 等时退火
%K 剂量率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CF1E06A1461A2CA&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=38B194292C032A66&sid=119B6C0AA09DE6B9&eid=31BCE06A2FD82A16&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5