%0 Journal Article
%T SiOx Mediated Epitaxial Ternary Silicide (Co1-xNix)Si2<br>SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
%A HAN Yong zhao
%A LI Bing zong
%A RU Guo ping
%A QU Xin ping
%A CAO Yong feng
%A XU Bei lei
%A JIANG Yu long
%A WANG Lian wei
%A ZHANG Rong yao
%A P K Chu
%A <br>韩永召
%A 李炳宗
%A 茹国平
%A 屈新萍
%A 曹永峰
%A 徐蓓蕾
%A 蒋玉龙
%A 王连卫
%A 张荣耀
%A 朱剑豪
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达
%K ternary silicide
%K solid state reaction
%K epitaxy<br>三元硅化物
%K 固相反应
%K 外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6FFC184FDCE64AE6&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=3ED1EAB217774597&eid=11F3C55CF63C495D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8