%0 Journal Article
%T Characterization of WN_x Film Prepared by Reactive Sputtering<br>反应溅射氮化钨薄膜特性研究
%A Zhang Lichun/Institute of Microelectronics
%A Peking University Gao Yuzhi/Institute of Microelectronics
%A Peking University Ning Baojun/Institute of Microelectronics
%A Peking University Yia Zonghuang/
%A <br>张利春
%A 高玉芝
%A 宁宝俊
%A 夏宗璜
%A 赖初喜
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中的不同流量比对氮化钨薄膜特性的影响。用卢瑟福背散射(RBS)方法对比研究了纯钨薄膜和氮化钨薄膜在Al/W/Si和Al/WN_x/Si两种金属化系统中的扩散势垒特性。分析结果表明,Al/W/Si金属化系统经500℃、30分钟热退火后,出现了明显的互扩散现象;而Al/WN_x/Si金属化系统在550℃、30分钟热退火后,没有发现互扩散的迹象,说明氮化钨在硅集成电路中是一种有效的扩散势垒材料。
%K Reactive Sputtering
%K WN_x
%K Diffusion Barrier<br>反应溅射
%K 氮化钨
%K 扩散势垒
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B1DA114E7DF83FFD&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=94C357A881DFC066&sid=375BEEEA164CFE59&eid=0954045FA0C6885F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0