%0 Journal Article
%T Design and Fabrication of 0. 15μm Thin Film Fully Depleted MOS/SOI Device<br>0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制
%A ZHANG Xing
%A WANG Yang
%A |yuan
%A <br>张兴
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用自己开发的二维数值深亚微米ＳＯＩ器件模拟软件，较为详细地分析了沟道长度小于０．２μｍ的ＳＯＩ器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等．通过这些模拟和分析计算，给出了沟道长度为０．１８、０．１５和０．１μｍ的薄膜全耗尽ＳＯＩ／ＭＯＳ器件的设计方案，并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为０．１５μｍ的凹陷沟道ＳＯＩ器件．沟道长度为０．１５μｍ薄膜全耗尽凹陷沟道ＳＯＩ器件的亚阈值斜率为８７ｍＶ／ｄｅｃ，击穿电压为１．６Ｖ，阈值电压为０．４２Ｖ，电源电压为１．５Ｖ时的驱动电
%K MOS/SOI Device
%K Thin Film
%K Design<br>MOS/SOI器件
%K 薄膜
%K 设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=43C5080C2ABEEA4F&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=0B39A22176CE99FB&sid=3F0AF5EDBC960DB0&eid=1B97AE5098AEB49C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=8