%0 Journal Article
%T 自动张量低能电子衍射对GaAs(-1-1-1)-(2×2)表面结构的研究
%A 邓丙成
%A 徐耕
%A 余招贤
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．
%K 砷化镓
%K 表面结构
%K LEED
%K 电子衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C458035F3DB60640032&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=51FE5F6F4794AD16&eid=F434A3C2A19884E7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2