%0 Journal Article
%T 凹陷沟道SOI器件的实验研究
%A 张兴
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．
%K SOI器件
%K 凹陷沟道
%K MOSFET
%K 实验
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94BFCA69525F06C6&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=90EAFEE49150CFCD&eid=073C3CF5F13F64FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5