%0 Journal Article
%T 红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
%A 付军
%A 栾洪发
%A 田立林
%A 钱佩信
%A 周均铭
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度都不超过800℃．直流特性的测量结果表明，与普通Si沟道器件相比，GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高．而且，这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力．
%K 红外区熔再结晶
%K SOI材料
%K 表面沟道
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0C6F918BAC2F54FC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=70E3F4DEB0172F14&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2