%0 Journal Article
%T MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光
%A 董建荣
%A 陆大成
%A 汪度
%A 王晓晖
%A 刘祥林
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．
%K MOVPE法
%K AlGaAs
%K GaAs
%K 量子阱结构
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073AB1925F8CBEE35AD&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=10828928EB89AD8E&eid=80BD0A2EF8664214&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1