%0 Journal Article
%T 场助GaAs-玻璃键合工艺的研究
%A 吕世骥
%A 黄庆安
%A 童勤义
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1229FC8689DE58DAD6A5A2BC5DE3255C&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=18F040DBCB74FFF9&eid=F6467E7C54ED952D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0