%0 Journal Article
%T Photoluminescent Zinc Silicate Films Prepared on Silicon Wafer by Solid-Phase Reaction<br>利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征
%A 季振国
%A 刘坤
%A 向因
%A 宋永梁
%A 叶志镇
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景
%K zinc silicate
%K Si
%K based optoelectronics
%K photoluminescence
%K solid
%K phase reaction<br>硅酸锌
%K 硅基光电
%K 光致发光谱
%K 固相反应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F97885CAB9EC930&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=89FA2FA9891FF61E&eid=97747634025A5F36&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17