%0 Journal Article
%T 9μm Cutoff 128×128 AlGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetector Focal Plane Arrays
%A Li Xianjie
%A Liu Yingbin
%A Feng Zhen
%A Guo Fan
%A Zhao Yonglin
%A Zhao Run
%A Zhou Rui
%A Lou Chen
%A Zhang Shizu
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作. 采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料，并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作. 为得到器件参数，设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件；77K下2V偏压时暗电流密度为1.5E-3A/cm2; 80K工作温度下，器件峰值响应波长为8.4μm，截止波长为9μm，黑体探测率DB为3.95E8 (cm·Hz1/2) /W. 将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连，在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像，盲元率小于1%.
%K AlGaAs/GaAs
%K 量子阱红外探测器
%K 红外热成像
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=40FBD5AD925E8AEE&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B7AB8E33F0FC19ED&eid=D98C4F25072149E5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=13