%0 Journal Article
%T MZOS结构的电学性质及退火效应
%A 亢效虎
%A 何山虎
%A 桑保生
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．
%K MZOS结构
%K 氧化锌
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CCCA3522DEA51A74&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=BD0BCC5CD284A664&eid=8587C7CAA7A3D0DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1