%0 Journal Article %T 薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究 %A 奚雪梅 %A 王阳元 %J 半导体学报 %D 1996 %I %X 本文根据所建浮体效应物理模型,研究了器件参数对SOIMOSFET浮体效应影响关系.研究结果表明,降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等,可以有效地抑制浮体效应,提高器件的源漏击穿电压,这些参数在工艺上可以对应采用LDD&LDS的MOS结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在SOI体区的复合寿命等,为从工艺设计上进一步改善SOIMOSFET的器件特性打下理论基础. %K SOI %K MOSFET %K 薄膜 %K 浮体效应 %K 抑制优化 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=12DB2FD9A0261518&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=B31275AF3241DB2D&sid=78976D931AD1540F&eid=A48DE16C07AAAB06&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3