%0 Journal Article
%T 薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究
%A 奚雪梅
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文根据所建浮体效应物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系．研究结果表明，降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等，可以有效地抑制浮体效应，提高器件的源漏击穿电压，这些参数在工艺上可以对应采用ＬＤＤ＆ＬＤＳ的ＭＯＳ结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在ＳＯＩ体区的复合寿命等，为从工艺设计上进一步改善ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的器件特性打下理论基础．
%K SOI
%K MOSFET
%K 薄膜
%K 浮体效应
%K 抑制优化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=12DB2FD9A0261518&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=B31275AF3241DB2D&sid=78976D931AD1540F&eid=A48DE16C07AAAB06&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3