%0 Journal Article
%T Ge_xSi_（1－x）／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计
%A 赵策洲
%A 刘恩科
%A 高勇
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文提出了一种简便可行的ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型──—ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理：采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ（０．１）Ｓｉ（０．９）／Ｓｉ异质结ＢＯＡ开关的结构参数和电学参数．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=05DC3BB4E88957C4&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=46FF101E7ECF9F15&eid=C6FC2A9EA7E6C4B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0