%0 Journal Article
%T 量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响
%A 张敬明
%A 徐遵图
%A 杨国文
%A 郑婉华
%A 钱毅
%A 李世祖
%A 肖建伟
%A 徐俊英
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．
%K 量子阱放大器
%K 光增益
%K 激射特性
%K 温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8761061C1AEC9B78&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=04FC77FB58A9B53A&eid=4E8E6A5CE04FD382&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1